www.melanexjou.fora.pl
toqevepasco
FAQ
Szukaj
Użytkownicy
Grupy
Galerie
Rejestracja
Profil
Zaloguj się, by sprawdzić wiadomości
Zaloguj
Forum www.melanexjou.fora.pl Strona Główna
->
Forum testowe
Napisz odpowiedź
Użytkownik
Temat
Treść wiadomości
Emotikony
Więcej Ikon
Kolor:
Domyślny
Ciemnoczerwony
Czerwony
Pomarańćzowy
Brązowy
Żółty
Zielony
Oliwkowy
Błękitny
Niebieski
Ciemnoniebieski
Purpurowy
Fioletowy
Biały
Czarny
Rozmiar:
Minimalny
Mały
Normalny
Duży
Ogromny
Zamknij Tagi
Opcje
HTML:
NIE
BBCode
:
TAK
Uśmieszki:
TAK
Wyłącz BBCode w tym poście
Wyłącz Uśmieszki w tym poście
Kod potwierdzający: *
Wszystkie czasy w strefie EET (Europa)
Skocz do:
Wybierz forum
Jakaś kategoria
----------------
Forum testowe
Przegląd tematu
Autor
Wiadomość
rtrqdc69
Wysłany: Śro 3:02, 25 Maj 2011
Temat postu: environmental awareness.txt
two sizes of mosaic structure map p wire electrode chip and the electrode in the middle of the diagonal expansion of the electrode chip basically the same iv characteristics, led sign n electrode wire electrode angle away from the electrode chip forward voltage drop at the same current, vf is higher than several other chips.
in terms of power type led module design, the use of existing power type led technology achievements, the single power-type led device (usually in the 3w or less) through the cluster approach, to expand the cooling area, neon sign cooling heat sink, thermal efficiency and other methods successful development of better heat dissipation, high efficiency led light module, in order to achieve a direct replacement indoor incandescent, halogen, fluorescent purpose.
well-known, led is a semiconductor product, if the led pin of the two pins or more components between the medium voltage exceeds the breakdown strength, it will cause damage to the device. the thinner oxide layer, the led message board ic and the greater the sensitivity of static, such as solder is not full, the quality of the solder itself, problems, etc., will have a serious leak paths, resulting in devastating damage. another failure was due to the node temperature exceeds the melting point of semiconductor silicon (1415 ℃) arising from. pulse energy can generate static electricity localized heating, resulting in the breakdown of the lamp and the ic directly to the fault.
fora.pl
- załóż własne forum dyskusyjne za darmo
Powered by
phpBB
© 2001, 2005 phpBB Group
Regulamin